Holst Centre presenteert nieuw depositieproces voor productie

EINDHOVEN - Een snelle een industrieel buikbare depositietechniek, spatial atomic layer deposition (sALD), - zou een grote verandering met zich mee kunnen brengen voor de productie van dunnefilm-displays. Onderzoekers van Holst Centre toonden aan dat sALD betere halfgeleiderlagen kan opleveren dan dampdepositie - physical vapor deposition (PVD) - met dezelfde (en potentieel zelfs hogere) productieopbrengst, Omdat het een eenvoudig opschaalbaar proces is onder atmosferische druk, zou sALD al spoedig de geprefereerde methode kunnen worden voor het maken van grote en flexibele dunnefilm componenten, aldus de onderzoekers.

"Spatial ALD biedt al de prestatievoordelen van traditionele atoomlaagdepositie - superieure beheersing van de laagdikte en -samenstelling, uniformiteit op grote schaal en ongeëvenaarde conformeerbaarheid - maar dan 10 tot 100 maal zo snel. Dus een 50-nm dikke laag kan worden geproduceerd binnen het standaard venster van 1 minuut dat vereist is voor de huidige industruiële processn", aldus Paul Poodt, sALD-programmamanager van het Holst Centre.

"Door de prestaties van sALD zouden de halfgeleiderlagen nog veel duurder kunnen worden en dat maakt een hogere productieopbrengst en geringer materiaalgebruik mogelijk", zegt Gerwin Gelinck, programmadirecteur  Flexible and Large Area Transistor Electronics bij Holst Centre. "De prestatiekarakteristieken blijven zelfs behouden als de dikte van de halfgeleiderlaag wordt teruggebracht tot minder dan 5 nm. Dat kan leiden tot geheel nieuwe halfgeleiderstructuren, zoals superroosters, met zelfs een hogere elektronenmobiliteit."

Het Holst Centre team neemt n met aangesloten partners de stappen die nodig zijn voor het opschalen en commercialiseren van deze sALD-processen en de bijbehorende apparatuur.